(1)--1.1PN结的形成及特性模拟电子技术.pptVIP

这张PPT是对第四页中的图进行讲解的内容，没必要出现在视频中今天我们来学习PN结的特性。PN结在半导体导电过程中会产生什么影响?它有哪些特性？*当PN结外加电压时，如果P区电位高于N区电位那么就称PN结处于正向偏置，所加电压为正向电压。反之PN结就处于反向偏置。PN结正向偏置时外加电压形成的电场与PN结内电场方向相反，空间电荷区变薄，PN结电阻减小，多数载流子的扩散变得更容易。再外加正向电压作用下，回路中产生由多数载流子形成的扩散电流，称为正向电流IF，我们知道电流方向是以正电荷运动方向定义的，所以这个电流是由P区流入N区流出，当外加电压升高时，PN结电场进一步减弱，扩散电流进一步增加，实验表明在正常范围内，PN结电压略有变化就会引起电流的显著变化，说明在正向偏置条件下，PN结的等效电阻很小，这个时候也称PN结导通。由于半导体本身的体电阻和PN结电阻相比阻值很小，所以大部分外加电压都落在了PN结上。PN结反向偏置时外电压形成的外电场方向与PN结内电场方向相同，增强了内电场作用，空间电荷区变厚，PN结电阻增大，多数载流子的扩散变得更加困难了，但是会促使少数载流子的漂移，这是在回路中会产生由少数载流子形成的漂移电流，它的方向有N区流入P区流出，由于少数载流子的浓度很低数量很少，所以反向漂移电流很微弱，可以认为PN结基本上不导电，这时也称PN结截止。而且由于少数载流子的数量有限，所以在反向电压增加时反向电流的增加并不明显，而且趋于恒定，所以这时候的电流也称为反向饱和电流，也就是曲线中的IS电流。需要注意的是，因为少数载流子的是由本征激发产生的，所以温度对少数载流子形成的反向饱和电流有较大的影响，根据以上分析，我们得到PN结单向导电性的结论：PN结正向偏置时呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流，PN结反向偏置时呈现较高电阻，只有很小的反向漂移电流。这张不需要出现在视频中PN结的这个特性也可以由特性方程来定量描述，PN结电压和电流的关系可以表示位一个指数方程，式中ID是流过PN结的电流，它的方向是由P区流入N区流出，VD是PN结两端的外加电压，它的极性和正偏电压极性相同，e是自然对数的底，Is是反向饱和电流值很小，Vt是温度电压当量，它与波尔兹曼常数和热力学温度成正比，与电子电荷成反比，常温下VT等于26mV。如果PN结加正向电，那么括号中的指数项就远大于1，电流ID与VD的指数关系。当PN结加反向电压时VD是负值，所以说如果后期它的绝对值比VT大几倍，那么指数项就趋于零，电流ID就等于负的IS,也就是说当温度一定时反向电流是一个常数，几乎不随外加反向电压变化，需要注意的是这个指数方程仅仅描述了PN结的正反两种偏置状态，并不包括接下来我们要描述的反向击穿状态。实际上PN结的反向电压不能无限制的增加，当反向电压大到一定值时，反向电流会突然增加，意味着PN结被反向击穿。发生击穿所需要的电压称为反向击穿电压，PN结被击穿后电流很大升温很快，容易烧毁PN结。尽管导致PN结击穿的原因存在着差异，但最终都是破坏了硅原子中共价键的束缚，是自由电子空穴对急剧增加造成的。PN结反向击穿后，如果反相电流和反向电压的乘积不超过PN结的耗散功率，这种击穿就是可逆的，称电击穿。当反向电压降低后，PN结仍可以回到截止状态；，如果反相电流和反向电压的乘积超过PN结的耗散功率，那么PN结就会因为过热而烧毁，这就是热击穿了。电击穿是可以利用的，而热击穿是必须避免的。反向击穿电压的大小与PN结的制造参数有关。PN结的形成及特性PN结的形成及特性

1PN结的形成2PN结的单向导电性3PN结的反向击穿PN结的形成及特性1PN结的形成载流子的漂移与扩散漂移运动:在电场作用下引起的载流子运动扩散运动:由载流子浓度差引起的载流子运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区PN结处载流子的运动PN结的形成及特性在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。因浓度差多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散PN结的形成及特性1PN结的形成2PN结的单向导电性3PN结的反向击穿1.PN结正向偏置内电场外电场变薄PN+_－－－－－－－