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1.1半导体基础知识

1.1半导体基础知识1.1.1本征半导体

1.1半导体基础知识1.1.1本征半导体1.1.2杂质半导体

1.1半导体基础知识1.1.1本征半导体1.1.2杂质半导体1.1.3PN结的形成及其单向导电性

1.1半导体基础知识1.1.1本征半导体1.1.2杂质半导体1.1.3PN结的形成及其单向导电性1.1.4PN结的电容效应

自然界中各种物质根据其导电能力分为:导体、绝缘体、半导体

自然界中各种物质根据其导电能力分为:导体、绝缘体、半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。

1.1.1本征半导体1、什么是本征半导体？

1.1.1本征半导体1、什么是本征半导体？本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体。

1.1.1本征半导体1、什么是本征半导体？本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体。无杂质

1.1.1本征半导体1、什么是本征半导体？本征半导体是纯净的具有晶体结构的半导体。无杂质稳定的结构

2、本征半导体的结构共价键1.1.1本征半导体

2、本征半导体的结构由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子共价键1.1.1本征半导体

2、本征半导体的结构由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴共价键1.1.1本征半导体

2、本征半导体的结构由于热运动，具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置，称为空穴自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。共价键1.1.1本征半导体

2、本征半导体的结构一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。1.1.1本征半导体

2、本征半导体的结构一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的浓度加大。动态平衡1.1.1本征半导体

3、本征半导体中的两种载流子1.1.1本征半导体

外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。1.1.1本征半导体

两种载流子外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。1.1.1本征半导体

1.1.2杂质半导体杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。1.N型半导体

1.1.2杂质半导体杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。多数载流子1.N型半导体

1.1.2杂质半导体磷（P）杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。多数载流子1.N型半导体

1.1.2杂质半导体磷（P）杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。多数载流子提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主原子。1.N型半导体

2.P型半导体1.1.2杂质半导体

2.P型半导体P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？1.1.2杂质半导体

2.P型半导体硼（B）多数载流子P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？1.1.2杂质半导体

2.P型半导体硼（B）多数载流子P型半导体主要靠空穴导电，掺入杂质越多，空穴浓度越高，导电性越强，空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主原子。在杂质半导体中，温度变化时，载流子的数目变化吗？少子与多子变化的数目相同吗？少子与多子浓度的变化相同吗？1.1.2杂质半导体

由以上分析可知:本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，而另一种载流子少。

由以上分析可知:本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体