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N沟道增强型MOSFET的工作原理

N沟道增强型MOSFET的工作原理栅源电压UGS对沟道产生影响漏源电压UDS对沟道产生影响

先令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。UGS带给栅极正电荷，将正对SiO2层的表面下的衬底中的空穴推走，形成一层负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。同时在栅极下的表层感生电子，当电子数量较多时，

在漏源之间可形成导电沟道。沟道中的电子和P型衬底的多子导电性质相反，称为

反型层。此时若加上UDS，就会有漏极电流ID产生。反型层?

显然改变UGS就会改变沟道，从而影响ID，这说明UGS对ID具有控制作用。当UGS较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有UDS，也不能形成ID。当增加UGS，使ID刚刚出现时，对应的UGS称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。反型层?

设UGS＞UGS(th)，增加UDS，沟道将发生变化。显然漏源电压会对沟道产生影响，因为

源极和衬底相连接，所以加入UDS后，UDS将沿漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底之间反偏最大，PN结的宽度最大。所以加入UDS后，在漏源之间会形成一个倾斜的PN结区，从而影响沟道的导电性。当UDS进一步增加，ID不断增加，同时，漏端的耗尽层上移，在漏端出现夹断，称为预夹断。预夹断当UDS进一步增加时，漏端的耗尽层向源极伸展，此时ID基本不再增加，增加的UDS基本上降落在预夹断区。此时ID只受UGS控制，进入线性放大区。2．漏源电压UDS的控制作用

N沟道增强型MOSFET的符号

足够大的栅源电压UGS(开启电压)→

导电沟道→漏极电流ID。足够大的漏源电压→导电沟道被预夹断→

ID仅由UGS控制，即线性放大。MOSFET的输入阻抗非常大，应避免

静电导致器件损坏。要点010203

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