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N沟道耗尽型MOSFET
的结构及特性曲线
N沟道耗尽型MOSFET的结构与N沟道增强型MOSFET的区别：
在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了
一定量的正离子。
当UGS=0时，这些正离子感生出电子，形成耗尽层，N型导电沟道就已经生成。
若施加漏源电压，则产生漏极电流。N沟道耗尽型MOSFET的结构
当UGS=0时，对应的漏极电流用IDSS表示。当UGS＞0时，ID进一步增加。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线IDSS
IDSSN沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线UGS＜0时，随着UGS的减小ID逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)或UP表示。夹断电压
N沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线可变电阻区夹断区恒流区预夹断曲线
场效应管符号的说明：N沟道增强型MOS管，衬底箭头向里。表示衬底在内部没有与源极连接。N沟道耗尽型MOS管。N沟道结型场效应管。没有绝缘层。如果是P沟道，箭头则向外。
要点01耗尽型MOSFET在制造时就已经生成了导电沟道。02耗尽型MOSFET的UGS可正可负。耗尽型与增强型MOSFET的特性曲线相似。03耗尽型MOSFET的结构及特性曲线
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