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(1.20)--1.5.3 N沟道增强型MOSFET的特性曲线.pptVIP

(1.20)--1.5.3 N沟道增强型MOSFET的特性曲线.ppt

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    N沟道增强型MOSFET

    的特性曲线

    N沟道增强型MOSFET的特性曲线转移特性曲线漏极输出特性曲线

    转移特性曲线说明栅源电压UGS对漏极电流ID的控制关系。1)转移特性曲线

    转移特性曲线的斜率gm反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm称为跨导，是场效应三极管的重要参数。1)转移特性曲线

    当UGS＞UGS(th)时，ID=f(UDS)?UGS=const称为漏极输出特性曲线。FET作为放大元件使用时，工作在恒流区，UDS对ID的影响很小。但是UGS对ID的控制作用很明显。曲线分五个区域：（1）恒流区（放大区）（2）可变电阻区（3）截止区（4）击穿区（5）过损耗区可变电阻区截止区击穿区过损耗区2)漏极输出特性曲线

    从漏极输出特性曲线可以得到转移特性曲线。

    1理解转移特性曲线和漏极输出特性曲线

    的物理意义。2其他类型FET的特性曲线与其相似，

    参数不同。要点

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