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JFET的结构
及工作原理
结型场效应管结构工作原理JunctionFieldEffectTransistor
源极SN型
导电沟道漏极DP型区P型区栅极G栅极G符号符号1N沟道JFET的结构
2工作原理（以N沟道为例）UDS=0V时PN结是反偏的，UGS越负，则
耗尽区越宽，导电沟道越窄。①UGS对沟道的控制作用
UGS达到一定值时耗尽区碰到一起，DS间的导电沟道被夹断。当沟道夹断时，对应的栅源电压UGS称为夹断电压UP（或UGS(off)）。UGS继续减小(更负)对于N沟道的JFET，UP0。
UDS≠0V时②UDS对沟道的控制作用当UGS=0时，UDS??iD?G、D间PN结的反向电压增
加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。
UDS≠0V时②UDS对沟道的控制作用当UGS=0时，UDS??iD?G、D间PN结的反向电压增
加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。
越靠近漏端，
PN结反压越大当UDS增加到使UGD=UP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时UDS??夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变
③UGS和UDS同时作用时UGS越小(越负)耗尽区越宽，
沟道越窄，电阻越大。iD减小。当UPUGS0时，导电沟道更容易夹断，对于同样的UDS，iD的值比UGS=0时的值要小。在预夹断处UGD=UGS-UDS=UP
总结增强型MOSFET的UGS与UDS极性相同；
耗尽型MOSFET的UGS与UDS极性可同可不同；
JFET的UGS与UDS极性相反。JFET是电压控制电流器件，iD受UGS控制预夹断前，UDS越大，iD越大；
预夹断后，iD趋于饱和，仅受UGS控制。JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG?0，输入电阻很高。
休息一会
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