(1.17)--1.4.5 晶体三极管的分析方法.pptVIP

1晶体三极管的

分析方法

输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区截止区放大区放大区——iC平行于UCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，uCE电压大于uBE。此区域内，iC只与iB有关，满足iC=?iB，称为线性区（放大区）。

输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区截止区放大区饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内

uCE的数值较小，一般uCE＜uBE，?iBiC。此时发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。

截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。iB=0,iC=ICEO,uBE死区电压，输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区截止区放大区

三极管结电压的典型值

工作于放大状态的4个三极管的各管脚对“地”电位如图所示。试判断各三极管的类型（是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管），并确定e、b、c三个电极。（a）3V3.7V8V????3V2V2.3V???（b）?5V?0.6V0V???（c）?0.8V6V?1V???（d）例

（a）3V3.7V8V????3V2V2.3V???（b）?5V?0.6V0V???（c）?0.8V6V?1V???（d）（a）NPN型硅管，?-发射极，?-基极，?-集电极（b）PNP型锗管，?-集电极，?-基极，?-发射极（c）PNP型硅管，?-集电极，?-基极，?-发射极（d）NPN型锗管，?-基极，?-集电极，?-发射极

分析方法1工作于放大状态的三极管，发射结应正偏，集电结应反偏，因而NPN型有VCVBVE,PNP型有VCVBVE。可见基极电位总是居中，据此可确定基极。

2硅管|VBE|=0.6~0.8V，锗管|VBE|=0.2~0.4V，则与基极电位相差此值的电极为发射极，并可判断是硅管还是锗管。3余下一电极为集电极。4集电极电位为最高的是NPN型管，集电极电位为最低的是PNP型管。分析方法

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