(1.18)--1.5.1 N沟道增强型MOSFET的结构.pptVIP

N沟道增强型MOSFET的结构

场效应晶体管（FieldEffectTransistor，FET）是利用电场效应来控制的有源器件，在集成电路（IC）以及微波电路中得到广泛应用。

场效应晶体管属于单极型晶体管。按照结构特点，场效应晶体管可分为两大类：绝缘栅型场效应管（InsulatedGateFieldEffectTransister，IGFET）结型场效应管（JunctionFieldEffectTransister,JFET）

N沟道增强型MOSFETN沟道耗尽型MOSFETP沟道增强型MOSFETP沟道耗尽型MOSFET绝缘栅型场效应管(IGFET)，多为金属-氧化物-半导体场效应管，(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransister，MOSFET或MOS管)。√N沟道JFETP沟道JFET结型场效应管(JFET)：

N沟道增强型MOSFET的结构以P型半导体为衬底，用B表示。氧化生成一层SiO2薄膜绝缘层。用光刻工艺腐蚀出两个孔。扩散两个高掺杂的N型区，形成两个PN结。从N型区引出电极，一个是漏极D(Drain，相当于C)，一个是源极S(Source，相当于E)。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为

栅极G(Grid，相当于B)。

N沟道增强型MOSFET的结构栅极G相当于B漏极D相当于C源极S相当于E栅源电压uGS相当于iB衬底在内部与源极相连衬底未与源极相连，

D与S可互换。

要点MOSFET的金属栅极与半导体之间有

氧化物SiO2，所以栅极电流几乎为零。记住各极名称，以及各极与BJT的对应关系。0102

休息一会