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第六章光刻

6.1简介

•定义：光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面

I层上所规定的特定区域的基本操作。

•本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀

和离子注入的硅片上。这些结构以图形形

式制作在掩膜版上，紫外光透过掩膜版把

图形转到硅片表面的光敏薄膜上然后用

一种刻蚀的工艺把薄膜图形成像在下面的

硅片上。

•转到硅片表面的光刻图形的形状完全取决于硅

片层面的结构。图形可能是硅片上的半导体器件,

隔离槽，接触孔，金属互连以及互连金属层的通

孑屋

•光刻掩膜版衬底材料是石英，这种材料始终用在

紫外光刻中。用做掩膜版的石英是最贵的材料并

且有非常低的温度膨胀。低膨胀意味着掩膜版在

温度改变时尺寸是相对稳定的。淀积在掩膜版上

的不透明的材料是一薄层铭，厚度一般小于1000

埃并且是溅射淀积的。

•基本光刻工艺

晶圆

表面层