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2024-02-21 发布于四川
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本公开涉及制造半导体器件和电子系统。一种半导体器件，包括：半导体集成电路芯片，被布置在衬底的第一表面上，衬底包括在与第一表面相对的第二表面处的导电引线，在衬底的第二表面的导电引线由掩模层覆盖；绝缘封装，将被布置在衬底的第一表面上的半导体集成电路芯片进行封装；以及至少一个凹陷部分，在绝缘封装上，其中凹陷部分位于由掩模层覆盖的导电引线中的第一导电引线和第二导电引线之间，以便在导电引线中的第一导电引线和第二导电引线之间提供期望的爬电距离。利用本公开的实施例有利地改善了器件和系统中的爬电距离。

(19)国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)授权公告号CN220510008U

(45)授权公告日2024.02.20

(21)申请号202321029785.6

(22)申请日2023.05.04

(30)优先权数据

102022000008903

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