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2024-02-24 发布于四川
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半导体结构及其制造方法.pdf

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本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。该半导体结构包括：第一金属层；设置在第一金属层一侧的衬底；设置在衬底一侧的埋氧层；设置在埋氧层上的氧化层和顶硅层，氧化层的深度大于或等于顶硅层的深度，且在垂直于衬底的方向上，顶硅层的一侧完全与氧化层接触；设置在氧化层上和顶硅层上的介质层；设置在介质层上的第二金属层；与第一金属层靠近衬底一侧接触设置，且依次通过衬底、埋氧层、氧化层、介质层与第二金属层接触设置的通孔区域。根据本申请实施例，有利于提高半导体结构的良率。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117594570A

(43)申请公布日2024.02.23

(21)申请号202311699897.7

(22)申请日2023.12.12

(71)申请人苏州华太电子技术股份有限公司

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