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MOSFET晶体管在半导体层上包括栅极绝缘体和栅极绝缘体上的栅极区域的堆叠。栅极区域具有第一栅极部分以及在第一栅极部分和栅极绝缘体之间的第二栅极部分。第一栅极部分在晶体管的第一横向方向上具有第一长度。第二栅极部分在第一横向方向上具有比第一长度短的第二长度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117594642A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311043317.9H01L29/78(2006.01)
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