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一种锑化铟晶体的生长方法包括步骤：S1，在生长炉内利用提拉法将固定有籽晶的拉晶杆从石英坩埚的InSb熔体表面浸入，之后拉晶杆向上进行直拉进行晶体生长以形成晶棒；S2，晶体生长完成并晶棒脱离熔体后，对石英坩埚保温，在不打开生长炉的情况下，通过生长炉设置的铟块输送机构向石英坩埚内倒入In块，In块倒入的质量为石英坩埚的剩余的InSb底料中的In的质量的1‑5％；S3，降温、置换生长炉内的气体为氮气后，打开生长炉，将晶棒从拉晶杆上剪下，将石英坩埚取出并倒出凝固的熔体，石英坩埚进入后续处理以进行重新使用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117587496A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311725831.0
(22)申请日2023.12.14
(71)申请人安徽光智科技有限公司
地址23
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