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本发明公开一种半导体激光器的泵浦特性评估装置及方法，涉及激光技术领域，装置包括LD功率分布测量组件、电控组件及有效泵浦因子计算组件；电控组件用于为待测半导体激光组件提供驱动电源；LD功率分布测量组件用于：基于温度调节指令对待测半导体激光组件的工作环境温度进行调节；基于数据采集指令采集待测半导体激光组件在不同电流、不同温度下的输出功率及光谱特性；有效泵浦因子计算组件用于根据待测半导体激光组件在不同电流、不同温度下的输出功率及光谱特性，计算有效泵浦功率、有效泵浦因子及残余泵浦功率，以表征待测半导体激
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117589428A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202410078086.3
(22)申请日2024.01.19
(71)申请人中国工程物理研究
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