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本申请公开一种冷坩埚法生长氧化镓晶体的装置及生长方法，包括：加热单元，包括高频感应线圈；水冷坩埚单元，包括水冷瓣和氧化镓壳层，以及升降单元，包括升降装置；其中，所述水冷瓣包括水冷铜管和底座，所述底座包括进水口和出水口，所述水冷铜管与所述进水口和所述出水口相连通，所述水冷铜管位于所述氧化镓壳层和所述高频感应线圈之间，且与所述氧化镓壳层的外壁接触；所述水冷铜管与所述氧化镓壳层位于所述底座上方，所述底座位于所述升降装置上方并与所述升降装置相接；所述氧化镓壳层用于装填熔体和籽晶，所述氧化镓壳层设有填料口
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117587518A
(43)申请公布日2024.02.23
(21)申请号202311643138.9
(22)申请日2023.12.04
(71)申请人北京镓创科技有限公司
地址10
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