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半导体器件物理与工艺期末考试题

一、简答题

1.什么是半导体器件？半导体器件是利用半导体材料

的电子特性来实现电流的控制与放大的电子元件。常见的

半导体器件包括二极管、晶体管、场效应管等。

2.请简述PN结的工作原理。PN结是由P型半导体

和N型半导体连接而成的结构。当外加正向偏置时，P端

为正极，N端为负极，电子从N端向P端扩散，空穴从P

端向N端扩散，形成扩散电流；当外加反向偏置时，P端

为负极，N端为正极，由于能带反向弯曲，形成电势垒，

电子与空穴受到电势垒的阻拦，电流几乎为零。

3.简述晶体管的工作原理。晶体管是一种三极管，由

一块绝缘体将N型和P型半导体连接而成。晶体管分为三

个区域：基区、发射区和集电区。在正常工作状态下，当

基极与发射极之间施加一定电压时，发射极注入的电子会

受到基区电流的控制，通过基区电流的调节，可以控制从

集电区流出的电流，实现电流的放大作用。

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4.请简述场效应管的工作原理。场效应管是利用电场

的作用来控制电流的一种半导体器件。根据电场的不同作

用方式，场效应管分为增强型和耗尽型两种。在增强型场

效应管中，通过控制栅极电压，可以调节漏极与源极之间

的通导能力，实现电流的控制与放大。

5.简述MOSFET的结构和工作原理。MOSFET（金属-

氧化物-半导体场效应管）是一种常用的场效应管。它由金

属栅极、氧化物层和P型或N型半导体构成。MOSFET的

工作原理是通过改变栅极电势来控制氧化物层下方的沟道

区域的电阻，从而控制漏极与源极之间的电流。

6.什么是集电极电流放大系数？集电极电流放大系数

（β）是指集电区电流（Ic）与发射区电流（Ie）之间的比

值。在晶体管中，β值越大，表示电流放大效果越好。

7.简述三极管的放大作用。三极管作为一种电子元件，

具有电流放大的功能。通过控制基区电流，可以影响发射

极与集电极之间的电流，从而实现电流的放大作用。

二、计算题

1.已知一个PN结的硅材料的势垒高度为0.7V，求该

PN结的电势垒宽度。

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答：根据势垒高度与电势垒宽度的关系，可以得到以下公

式：势垒高度=0.7V势垒高度=0.585eV/(硅材料的禁带宽

度)解方程可得：0.7V=0.585eV/(硅材料的禁带宽度)硅材

料的禁带宽度=0.585eV/0.7V≈0.836eV

所以，该PN结的电势垒宽度约为0.836eV。

2.已知一个晶体管的集电极电流为2mA，发射极电流

为5μA，计算该晶体管的集电极电流放大系数。

答：集电极电流放大系数（β）=集电极电流（Ic）/发射

极电流（Ie）β=2mA/5μAβ=400

所以，该晶体管的集电极电流放大系数为400。

三、综合题

1.请简述半导体器件的制备工艺流程。

半导体器件的制备工艺流程如下：1)半导体晶体生长：通

过化学气相沉积或溶液法等方法，在衬底上生长单晶半导体薄

膜。2)PN结的制备：根据设计要求，在晶体上掺杂不同类型

的杂质，形成P型和N型区域，通过扩散或离子注入等工艺

将杂质掺杂到晶体中。3)电极的制备：利用光刻、蒸镀等工

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艺，在晶体上制作出电极结构，用于连接电路。4)介质层的

制备：将合适的介质材料通过化学气相沉积或溅射等方法覆盖

在晶体的表面，用于隔离不同的电极或层次。5)封装与测试：

将制备好的半导体器件封装到合适的封装材料中，进行测试和

质量检验。

2.请简述半导体器件的应用领域，并举例说明。

半导体器件广泛应用于电子工业