一种提升峰值亮度的全彩Micro-LED芯片及其制备方法.pdfVIP

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2024-02-28 发布于四川
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一种提升峰值亮度的全彩Micro-LED芯片及其制备方法.pdf

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本发明主要涉及半导体发光器件技术领域。为了解决目前Micro‑LED芯片制造主要是将量子点与光刻胶的光敏材料相结合，通过光刻的方式进行图案化处理，量子点光刻胶颜色转换层的光氧稳定性差，影响显示图像的对比度和表现力的问题，本发明提供一种提升峰值亮度的全彩Micro‑LED芯片及其制备方法，在蓝宝石衬底下表面设置微反射结构，用设置的V型沟槽汇聚光线，增加出射光强，提升显示亮度；同时设置颜色转换层，将黑色基质层点涂于蓝宝石衬底上方，在黑色基质层表面形成红色、绿色和蓝色像素点开口，将红色量子点光刻胶和绿

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117613059A

(43)申请公布日2024.02.27

(21)申请号202311608011.3H01L33/44(2010.01)