原创力文档- 3
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- 2024-02-28 发布于四川
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公开了三维(3D)存储装置和制造方法。公开的3D存储装置包括第一半导体结构，第一半导体结构包括：第一区域中的第一类型贯穿堆叠结构的阵列和第二区域中的第二类型贯穿堆叠结构的阵列；以及将第一类型贯穿堆叠结构的阵列与第二类型通过堆叠结构的阵列分隔开的缝隙结构。3D存储装置还包括第二半导体结构，第二半导体结构包括位于不同层级的第一外围电路和第二外围电路。第二半导体结构与第一半导体结构键合在一起，使得第一外围电路位于第二外围电路与第一半导体结构之间。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117616894A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202380008959.7(72)发明人范冬宇赵冬雪周文犀夏志良
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