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阶跃光激励下的半导体光热光偏转现象的中期报告

1.研究背景

半导体光热光偏转现象是指在半导体材料中，由于光子被吸收产生热效应所引起的光学折射率变化，进而导致光束的偏转。该现象被广泛应用于光学通讯、光电子学、光学计算等领域中，因此对其性质和特点进行深入研究具有重要意义。

近年来，随着阶跃光激励技术的发展，能够以极高的时间精度探测光热效应过程，在探测光热光偏转现象方面具有重要意义。本研究旨在利用阶跃光激励技术探究半导体光热光偏转现象的基本特性和机理，为其在相关应用中的进一步应用提供理论支撑。

2.研究方法

本研究采用蓝宝石晶体作为样品，利用FDTD数值模拟方法对其在阶跃光激励下的光热光偏转过程进行模拟分析。同时，采用飞秒激光脉冲技术探测样品的非平衡载流子密度，以获得光热效应引起的折射率变化。在此基础上，进一步研究阶跃光激励下光热效应的动力学过程和规律。

3.研究成果

通过FDTD数值模拟，我们成功地模拟出了蓝宝石晶体在阶跃光激励下的光热光偏转过程。模拟结果表明，光热光偏转效应与激光脉冲宽度、波长、入射角度等参数密切相关。

在实验中，我们采用了飞秒激光脉冲技术对样品进行探测，并获得了非平衡载流子密度的数据。在此基础上，我们成功地对阶跃光激励下的光热效应进行了实验研究，获得了光热效应引起的折射率变化曲线。实验结果表明，光热效应的产生与载流子密度的变化密切相关，载流子密度越高，光热效应越强。

4.展望未来

基于以上研究成果，我们将进一步探究光热光偏转现象的机理和动力学过程，探索其在光学通讯、光电子学、光学计算等领域中的应用。同时，我们还将进一步完善实验和数值模拟的方法，提高研究的精度和可靠性，为光热光偏转现象的深入研究和应用提供有力支持。