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电阻式存储元件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-02-28 发布于四川
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电阻式存储元件及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种电阻式存储元件及其制备方法，其中的制备方法包括：在铜基底上制备下电极第一层；在所述下电极第一层上依次沉积下电极第二层、阻变层以及上电极；对所述上电极和所述阻变层进行光刻和蚀刻，并使蚀刻最低点停留在所述下电极第二层的上方；在所述上电极上沉积侧墙层以使所述侧墙层覆盖所述上电极和所述阻变层的侧壁；对所述侧墙层和所述下电极第一层进行蚀刻，以使所述侧墙层在所述阻变层和所述上电极的侧壁外形成侧墙；其中，在对所述下电极第一层进行蚀刻时，所述侧墙用于阻挡金属反溅至所述上电极。本发明提供的电阻式存

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117615641A

    (43)申请公布日2024.02.27

    (21)申请号202311350356.3

    (22)申请日2023.10.18

    (71)申请人昕原半导体(上海

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