高功率980nm脊形量子阱半导体激光器的研究的中期报告.docx

高功率980nm脊形量子阱半导体激光器的研究的中期报告

中期报告：

一、研究背景和意义：

随着现代通讯技术的迅猛发展，高功率、高速率、可靠性和低成本一直是人们对半导体激光器的要求。980nm脊形量子阱半导体激光器作为一种典型的波长而应用广泛的激光器，具有优良的性能和广泛的应用前景。因此，对980nm脊形量子阱半导体激光器的研究具有重要的理论和实践意义。

二、研究现状：

现有的980nm脊形量子阱半导体激光器主要采用金属有机化学气相沉积、金属有机化学气相外延、分子束外延、液相外延等技术生长。在器件工艺方面，常采用墨阻工艺和深刻蚀技术进行结构定义和制备。同时，国内外学者也在传输线理论、多模式理论、相干性理论、量子阱结构的设计与制备等方面进行深入研究，取得了不俗的成果。

三、研究内容：

本研究将主要针对980nm脊形量子阱半导体激光器的材料生长、器件制备、性能测试等方面进行研究，具体内容如下：

1.利用金属有机化学气相外延技术，制备980nm脊形量子阱半导体激光器单片。

2.采用墨阻工艺和深刻蚀技术，定义器件结构和制备器件。

3.对器件进行电学测试和光学测试，并分析其典型参数指标。

4.进一步对器件的光-电特性进行研究，分析其工作原理和特性，并运用理论模型进行仿真优化。

四、研究计划：

本研究计划于2022年完成。具体分阶段实施，计划如下：

2021.9-2022.3：文献调研和理论分析。

2022.3-2022.6：材料生长和器件制备。

2022.6-2022.9：器件测试和光-电特性研究。

2022.9-2022.12：理论模型仿真和结果分析，撰写论文。

五、预期成果：

通过上述研究计划，我们预期能够达到以下研究成果：

1.成功制备出高品质的980nm脊形量子阱半导体激光器单片。

2.针对980nm脊形量子阱半导体激光器的材料、工艺和性能指标等方面进行深入探索和分析。

3.对器件的光-电特性进行研究分析，初步探索其工作原理和性能表现。

4.在980nm脊形量子阱半导体激光器的研究方面，探索新的思路和方法。

5.获得研究成果，撰写发表高水平学术论文，推动半导体激光器领域的发展。

六、参考文献：

[1]杨波,刘鹏,魏宾,等.面向大功率应用的一种980nm脊形量子阱激光器设计[J].光通信技术,2020,44(04):1-7.

[2]HOJONGCHOI,YOUNGTAKCHO,MOONKYUKWAK.Characteristicsofhigh-power980-nmdiodelaserswithanasymmetricwaveguide[J].AppliedOptics,2010,49(20):C61-C67.

[3]郭富强，白丹.面向DWDM应用的980nm脊形量子阱激光器的设计[J].安徽师范大学学报(自然科学版)，2021,44(2):1-6.