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本发明公开了一种基于MEMS工艺的硅压阻式六维力传感器及其制备方法，包括MEMS裸芯、商用ASIC及金属外壳；所述MEMS裸芯包括敏感检测层、底盖及顶盖；所述敏感检测层包括质量块和敏感梁，所述质量块和敏感梁连接，所述质量块外侧均匀设置有四个敏感梁，所述质量块和四个敏感梁构成正交十字型结构；所述敏感梁远离质量块一端设置为缓冲梁。本发明，MEMS硅基压阻式六维力传感器使用质量块‑敏感梁结构，具有结构简单，MEMS工艺容易实现，制造成本低，成品率高的优势。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117629492A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311609789.6
(22)申请日2023.11.29
(71)申请人苏州航凯微电子技术有限公司
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