朝阳市碳化硅器件项目建议书.pdfVIP

报告说明

目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方

案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意

法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要

54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，

实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因

素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中

渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。

1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT

总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，

在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优

势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在

650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压

需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出

了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC