具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体.pdfVIP

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2024-03-02 发布于四川
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具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体.pdf

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本发明提供一种具有深层形变通孔的单晶材料基体的加工方法和基体，加工方法包括：提供单晶材料基体，包括在单晶材料基体的厚度方向上由上至下排布的第一区域和第二区域；在第一区域的表面形成图形化的掩膜层；掩膜层具有若干第一图形；以掩膜层为掩膜刻蚀第一区域，使第一区域形成若干初始通孔；在初始通孔的侧壁形成保护层，保护层暴露出初始通孔底部的第二区域的表面；以掩膜层和保护层为掩膜刻蚀第二区域，使初始通孔在第二区域形成贯穿第二区域的扩孔区，从而形成包括初始通孔和扩孔区的深层形变通孔；其中，扩孔区在掩膜层的投影的形

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117623213A

(43)申请公布日2024.03.01

(21)申请号202311643236.2

(22)申请日2023.12.01

(71)申请人西湖大学

地址310024

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