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半导体装置和半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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半导体装置和半导体装置的制造方法.pdf

    本公开提供能缓和在栅电极的附近的电场集中并且提高散热性的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；源电极和漏电极，设于所述半导体层之上；第一膜，设于所述半导体层之上，包括位于所述源电极与所述漏电极之间的第一绝缘膜；栅电极，设于所述源电极与所述漏电极之间；以及碳化硅层，覆盖所述栅电极，在所述第一膜形成有开口，所述栅电极具有：第一部分，在俯视观察时位于所述开口的内侧；以及第二部分，与所述第一部分相连，在所述第一膜之上位于比所述第一部分靠近所述漏电极处。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637806A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202310440696.9

    (22)申请日2023.04.23

    (30)优先权数据

    2022-132699202

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