一种芯片低阻抗结构及其生产工艺.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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本发明涉及芯片制备技术领域,具体涉及一种芯片低阻抗结构及其生产工艺;包括IC基板、IC绝缘层、多个第一外连接点、RDL绝缘层、第二外连接点和低电阻RDL电镀金属层,每个第一外连接点和第二外连接点分别与低电阻RDL电镀金属层连接;生产工艺为:连接IC基板和IC绝缘层,并在IC绝缘层上设置第一外连接点;进行涂布保护层,使用曝光显影法投影设计导线;接着对曝光过的芯片进行蚀刻以及电镀处理,在芯片上层制作出新的导线;在保护层处进行蚀刻处理,得到蚀刻区域;在蚀刻区域处进行电镀处理,形成低电阻RDL电镀金属层

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117637685A

(43)申请公布日2024.03.01

(21)申请号202410107775.2

(22)申请日2024.01.26

(71)申请人无锡市稳芯电子科技有限公司

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