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- 2024-03-02 发布于四川
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本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第一沟槽，多个第一沟槽中的一部分为第一间隔沟槽，第一间隔沟槽为多个且包括间隔设置的第一子沟槽和第二子沟槽；第二沟槽，第二沟槽间隔设置于第一子沟槽和第二子沟槽之间，第二沟槽为多个且与多个第一间隔沟槽一一对应；第一连接沟槽，两个第一连接沟槽中的一个将多个第二沟槽的一端连接，另一个将多个第二沟槽的另一端连接。由此，第一连接沟槽可以将多个第二沟槽围闭，将绝缘栅双极晶体管区域和快恢复二极管区域分隔开，防止绝缘栅双极晶体管区域与快恢复二极管区
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637828A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311556201.5
(22)申请日2023.11.20
(71)申请人海信家电集团股份
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