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降低沟槽隔离结构表面暗电流的方法及沟槽隔离结构.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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降低沟槽隔离结构表面暗电流的方法及沟槽隔离结构.pdf

    本发明提供一种降低沟槽隔离结构表面暗电流的方法及沟槽隔离结构，通过在沟槽隔离结构表面形成P型势垒层和覆盖所述P型势垒层的N型暗电流收集层，N型暗电流收集层与P型势垒层之间形成指向衬底内部的电场能够有效的阻止界面电子向衬底其他区域的扩散，因此可以在不增加P型注入剂量的前提下进一步减少钉扎所需要的区域面积。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637592A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202210974187.X

    (22)申请日2022.08.15

    (71)申请人格科微电子（上海）有限公司

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