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半导体器件的制造方法、衬底处理装置的运用方法、衬底处理装置及记录介质.pdfVIP

半导体器件的制造方法、衬底处理装置的运用方法、衬底处理装置及记录介质.pdf

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    本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置的运用方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为降低排气部的维护频率。半导体器件的制造方法具有下述工序：对处理容器内的衬底供给处理气体，并从包括排气管以及泵的排气部进行排气，从而对衬底进行处理的工序；从设置于排气管的供给端口向排气管内直接供给第一清洁气体，从而对排气部内进行清洁的工序；和向处理容器内供给第二清洁气体，从而对处理容器内进行清洁的工序，其中，使实施对排气部内进行清洁的工序的频率高于实施对处理容器内进行清洁的工序的频率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117637440A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311644011.9

    (22)申请日2018.08.10

    (30)优先权数据

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