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报告说明

随着半导体技术的进步，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽

禁带材料为代表制造的宽禁带半导体器件具备高热导率、高击穿场强、

高饱和电子漂移速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、

高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求，已逐步应用于各类电子

产品中。其中，以空调为代表的消费电子产品将是宽禁带半导体器件

的重要应用领域，由于其使用数量庞大，总体损耗量较大，通过使用

宽禁带半导体器件可有效减少功率器件的能量损失，达到高效节能的

效果。

根据谨慎财务估算，项目总投资5189.89万元，其中：建设投资

4070.43万元，占项目总投资的78.43%；建设期利息48.52万元，占

项目总投资的0.93%；流动资金1070.94万元，占项目总投资的

20.64%。

项目正常运营每年营业收入9400.00万元，综合总成本费用

7662.90万元，净利润1267.73万元，财务内部收益率16.70%，财务

净现值1335.26万元，全部投资回收期6.18年。本期项目具有较强的

财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。

该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术含量较高，其

建设是必要