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2024-03-09 发布于四川
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栅极结构的制备方法.pdf

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本发明提供一种栅极结构的制备方法，该制备方法包括：在基片上涂第一光刻胶，形成第一光刻层；在第一光刻层上形成第一刻蚀窗口，第一刻蚀窗口定义基础栅极结构的形状和位置；在第一刻蚀窗口内形成基础栅极结构；涂覆第二光刻胶，形成第二光刻层，第二光刻层覆盖基础栅极结构；去除基础栅极结构正上方的第二光刻胶，形成第二刻蚀窗口，第二刻蚀窗口定义加厚栅极结构的形状和位置；利用化学镀金法在第二刻蚀窗口内形成加厚栅极结构；清除基片上所有的光刻胶。本发明能够在增加栅极厚度的同时，降低器件的制备成本，提高器件的成品率。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117672832A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202211050396.1

(22)申请日2022.08.30

(71)申请人中国科学院微电子研究所

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