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本发明提供一种SiGe沟道的形成方法，提供FDSOI结构，FDSOI结构包括硅衬底、位于硅衬底上的第一氧化硅层、位于第一氧化硅层上的硅层；硅层上覆盖有硬掩膜层；在硬掩膜层上形成贯通其上下表面的凹槽区域，凹槽区域将硅层的上表面暴露；在凹槽区域形成SiGe薄膜；在SiGe薄膜的上形成第二氧化硅层；第二氧化硅层、SiGe薄膜及位于SiGe薄膜下的硅层构成堆栈结构；去除硬掩膜层；在氨气和氧气氛围中对堆栈结构进行热处理，形成SiO2‑SiGe沟道。本发明形成SiGe沟道，降低SiGe在后续热处理过程中的弛
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117672853A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202211022397.5
(22)申请日2022.08.25
(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司
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