用脉冲激光沉积工艺在不同衬底上生长GaN薄膜的研究的任务书.docxVIP

用脉冲激光沉积工艺在不同衬底上生长GaN薄膜的研究的任务书

一、研究背景及意义

随着半导体技术的不断发展，GaN材料作为一种新型的半导体材料，具有较高的电子迁移率、较高的硬度、优异的热稳定性和宽的能隙等特点，因此在LED、激光器、高功率电子器件等领域具有广泛的应用前景。而其中薄膜生长技术的成熟与否则是影响其性能的重要因素之一。因此，对GaN薄膜的生长技术进行研究，对于提高其性能和应用前景具有重要意义。

二、研究目的

本研究旨在探究采用脉冲激光沉积工艺在不同衬底上生长GaN薄膜的方法和机理，包括生长温度、气体流量、脉冲激光参数等影响因素。通过系统地研究和分析GaN薄膜在不同衬底上的生长特性、表征性能以及电子性质，以期得到优质的GaN薄膜，为其在LED、激光器等领域的应用奠定基础。

三、研究内容和方法

1.脉冲激光沉积工艺生长GaN薄膜的方法

2.荧光光谱、XRD、SEM、TEM、AFM等表征技术的应用，对薄膜的物理性质、结构和表面形貌等进行表征和分析

3.Hall效应测试、电性能测试等对薄膜的电学性质进行测试

4.对比分析不同衬底生长GaN薄膜的形貌、结构、性质等差异，探究影响生长性质和性能的因素

四、研究进度计划

第1-2个月：文献资料的整理和学习、设备购置、培训和实验室搭建

第3-4个月：脉冲激光沉积工艺生长GaN薄膜实验的进行

第5-7个月：采用荧光光谱、XRD、SEM、TEM、AFM等表征技术进行薄膜表征

第8-10个月：采用Hall效应测试、电性能测试等对薄膜的电学性质进行测试

第11-12个月：对比分析不同衬底生长GaN薄膜的形貌、结构、性质等差异，探究影响生长性质和性能的因素

第13-15个月：数据分析和撰写论文，完成毕业论文的撰写与答辩

五、预期成果及应用前景

通过本研究，预期可以得到优质的GaN薄膜，并深入了解其生长机制和影响因素，对GaN材料在LED、激光器、高功率电子器件等领域的应用具有重要意义。同时，本研究也可以为GaN薄膜的量产提供技术支持，具有一定的经济价值和应用前景。