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本发明提供了半导体装置，其包括：第一绝缘体；第二绝缘体；氧化物；第一及第二导电体；氧化物、第一及第二导电体上的第三绝缘体；第三绝缘体上且至少一部分与第一和第二导电体之间的区域重叠的第三导电体；覆盖氧化物、第一、第二、第三导电体及第三绝缘体的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；第七绝缘体；和第八绝缘体，其中第七绝缘体与第一导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第一导电体的侧面及氧化物的第一侧面接触，第八绝缘体与第二导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第二导电体的侧面及氧化物的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117690977A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311531376.0(74)专利代理机构北京信慧永光知识产权代理
(22)申请日2018.08.
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