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半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-13 发布于四川
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半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法.pdf

    半导体装置具备形成于第一导电类型的外延层(32)上的场绝缘膜(3)、搭在场绝缘膜(3)的内周端上的表面电极(4)以及搭在场绝缘膜(3)的外周端上的外周电极(5)。在外延层(32)的表层部，形成有连接于表面电极(4)、且延伸至比表面电极(4)的外周端靠外侧的位置的第二导电类型的阱区域(2)。以覆盖表面电极(4)的外周端、外周电极(5)的内周端以及场绝缘膜(3)的方式形成耐湿绝缘膜(7)。在耐湿绝缘膜(7)上，形成连接于从耐湿绝缘膜(7)露出的表面电极(4)及外周电极(5)的半绝缘膜(8)。在外延层

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117693818A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202180100904.X(51)Int.Cl.

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