1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法以及程序.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约3.38万字
  • 约 28页
  • 2024-03-13 发布于四川
  • 举报

基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法以及程序.pdf

    本发明提供一种技术，具备：处理容器，其在内部形成对基板进行处理的处理室；气体供给系统，其向所述处理室的内部供给气体；以及等离子体生成部，其具有向所述处理室的内部突出的绝缘部件、配置在所述绝缘部件的内部的平面状的线圈和调整所述线圈与所述绝缘部件的间隙距离的调整机构，并在所述处理室的内部生成所述处理气体的等离子体。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117693805A

    (43)申请公布日2024.03.12

    (21)申请号202180100908.8(51)Int.Cl.

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >