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1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1*1.3Bi-CMOS工艺Bi-CMOS同时包括双极和MOS晶体管的集成电路，它结合了双极器件的高跨导、强驱动能力和CMOS器件的高集成度、低功耗的优点，使它们互相取长补短、发挥各自优点，制造高速、高集成度、好性能的VLSI。BiCMOS工艺分类以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺以双极工艺为基础的BiCMOS工艺。*以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺NPN晶体管电流增益小；集电极的串联电阻很大;NPN管C极只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用*以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺NPN具有较薄的基区，提高了其性能；N阱使得NPN管C极与衬底隔开，可根据电路需要接电位集电极串联电阻还是太大，影响双极器件的驱动能力在现有N阱CMOS工艺上增加一块掩膜版*以N阱CMOS工艺为基础的改进BiCMOS工艺使NPN管的集电极串联电阻减小5?6倍；使CMOS器件的抗闩锁性能大大提高**以双极性工艺为基础的BiCMOS工艺*以双极工艺为基础的双埋层
双阱Bi-CMOS工艺的器件结构剖面图改进:可提高CMOS器件的性能三、后部封装（在另外厂房）（1）背面减薄（2）切片（3）粘片（4）压焊：金丝球焊（5）切筋（6）整形（7）所封（8）沾锡：保证管脚的电学接触（9）老化（10）成测（11）打印、包装*金丝劈加热压焊*三、后部封装（在另外厂房）**作业：课本第15页1.11.21.6***本章结束1*1*1*88888888831*99999999941*10101010101010101051*11111111111111111161*12121212121212121271*13131313131313131381*1414141414141414141*15151515151515151591*171717171717171717111*181818181818181818121*Polysilicongateispatternedbeforesourceanddrainarecreated–therebyactuallydefiningthepreciselocationofthechannelregionandthelocationsofthesourceanddrainregions.Thisallowsforveryprecisepositioningofthesourceanddrainrelativetothegate.Notethatcan’tcompletelystoplateraldiffusion–accountsfordifferencebetweendrawntransistordimensionsandactualones1*1919191919191919191*202020202020202020131*212121212121212121141*222222222222222222151*2323232323232323231*242424242424242424**P-Sub主要工艺流程
2.氧化、光刻N-阱(nwell)**主要工艺流程
3.N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面N阱P-Sub**P-SubN阱主要工艺流程
4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版)**P-Sub主要工艺流程
5.场区氧化（LOCOS）,清洁表面
(场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入）
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