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互连结构的形成方法以及半导体器件的形成方法.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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互连结构的形成方法以及半导体器件的形成方法.pdf

    本发明提供了一种互连结构的形成方法以及半导体器件的形成方法，所述互连结构的形成方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍结构，所述鳍结构上形成有至少两个栅极结构，所述栅极结构上方还形成介电层，相邻所述栅极结构之间形成有沟槽；在所述沟槽内形成金属层；以及，采用高密度等离子体化学气相沉积工艺形成第二阻挡层，所述第二阻挡层直接覆盖所述介电层和所述金属层。采用高密度等离子体化学气相沉积工艺形成第二阻挡层的台阶覆盖性较好，致密性好，完整覆盖金属层的顶部，在酸性溶剂去除氮化钛层的过程中，可减少酸性

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712025A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202211085360.7

    (22)申请日2022.09.06

    (71)申请人上海集成电路研发

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