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- 2024-03-16 发布于四川
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本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种基于AlScN铁电调控的GaN基场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管，介质层为AlScN铁电介质层，AlScN做为首个氮化物铁电材料，介电常数比传统氧化物绝缘栅高1个数量级，可以在低偏压下获得高的极化电场强度；并且其剩余极化强度高达80～150μC/cm2，是传统氧化物及铪基铁电材料的2～6倍，强剩余极化特性可在外加电场为零时对二维电子气的自旋输运性质进行非易失调控；此外较低的生长温度及与GaN较为匹配的晶格常数使得其与GaN基异质结具有良好的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712175A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202410014524.XH01L29/51(2006.01)
(22)申请日2024.01.
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