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硬掩模、结终端扩展结构、半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-16 发布于四川
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硬掩模、结终端扩展结构、半导体结构及其制备方法.pdf

    本发明涉及半导体器件的技术领域，具体提供一种硬掩模、结终端扩展结构、半导体结构及其制备方法，旨在解决现有硬掩模难以采用低精度光刻机加工的问题。为此目的，本发明的硬掩模的制备方法包括：准备硬掩模；在硬掩模上进行光刻和刻蚀，形成预设图样；对硬掩模的表面进行氧化处理以形成氧化层；对硬掩模进行腐蚀处理以去除氧化层。使用光刻精度较低的光刻机对硬掩模进行光刻和刻蚀之后，初步成型硬掩模，之后对硬掩模的表面进行氧化，使硬掩模表面的一部分材料转变为氧化层，再通过腐蚀处理去除氧化层，从而使硬掩模的格栅宽度进一步降低

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712022A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202311738704.4

    (22)申请日2023.12.15

    (71)申请人蔚来汽车科技（安徽）有限公司

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