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本文公开了一种用于处理基板的设备。该设备包括：工艺处理单元，用于提供在其中执行基板处理的处理空间；以及产生等离子体的等离子体产生单元，其中，所述等离子体产生单元包括：等离子体室，具有等离子体产生空间；气体供应单元，用于将处理气体供应到等离子体产生空间；功率施加单元，用于通过使处理气体离开等离子体产生空间而产生等离子体；扩散室，布置在等离子体室的下方，并且具有扩散空间，该扩散空间用于扩散在等离子体产生空间中产生的等离子体和/或供应至等离子体产生空间的处理气体，以将其均匀地输送至处理空间，其中具有至
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN113471048A
(43)申请公布日2021.10.01
(21)申请号202110333560.9
(22)申请日2021.03.29
(30)优先权数据
10-2020-0
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