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本发明公开了一种HBM封装结构的晶圆级封装方法,属于半导体封装技术领域。其工艺过程如下:步骤一,采用晶圆级扇出工艺制作焊点I转移到存储器芯片侧边的存储器芯片封装模块;步骤二,采用晶圆级扇出工艺制作焊点II转移到逻辑芯片侧边的逻辑芯片封装晶圆,所述焊点II的位置与所述焊点I的位置上下对应;步骤三,形成HBM封装晶圆,并形成芯片侧边金属柱状通道;步骤四,沿所述HBM封装晶圆的切割道划片,切割成复数颗HBM封装结构单体。本发明采用晶圆级扇出工艺把焊点设置到存储器芯片与逻辑芯片的侧边,通过贯通所有芯片模
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712033A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311845389.5
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人浙江禾芯集成电路有限公司
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