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脉冲偏压真空电弧离子镀沉积MgO薄膜及其生长机理研究的任务书
一、研究背景
MgO薄膜由于其高透明度、高绝缘性和化学稳定性等特性，在光学、电子学、生物医学等领域具有广泛的应用前景。但是，传统的沉积方法往往存在着薄膜结构不规则、缺陷多等问题，因此需要开发新的高效、低成本的制备方法和掌握其生长机理。
二、研究目的
本研究旨在利用脉冲偏压真空电弧离子镀技术制备高质量的MgO薄膜，并深入探究其生长机理。
三、研究内容
1.利用脉冲偏压真空电弧离子镀技术制备MgO薄膜，优化制备工艺参数，得到较高质量的样品。
2.研究MgO薄膜的微观结构、晶体结构和生长动力学等特性，掌握其生长机理。
3.利用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜等表征手段对制备的MgO薄膜进行表征，并分析其物理化学性质。
4.对制备过程中的重要参数进行分析和优化，提高制备效率和质量。
四、研究意义
本研究将为MgO薄膜的制备和应用提供新的思路和方法，对探究MgO薄膜的生长机理和优化制备工艺具有重要意义。
五、研究进度安排
第一年：熟悉脉冲偏压真空电弧离子镀技术，建立制备MgO薄膜的实验方法，并优化制备参数。
第二年：对制备的MgO薄膜进行表征，并分析其物理化学性质。同时，探究其生长机理。
第三年：对制备过程中的重要参数进行分析和优化，提高制备效率和质量。并对研究成果进行总结和发表相关论文。
六、研究经费预算
研究经费总计50万元，其中实验材料费、实验设备费、会议费、论文出版费等共计40万元；研究人员工资及水电费等共计10万元。
七、研究团队
本研究由某大学材料学院主导，由硕士生导师带领一名博士生和两名硕士生共同完成，人员构成合理，具有较强的实验能力和理论研究能力。
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