黑硅电池中你需要掌握的半导体基础工艺知识.pptVIP

1.湿法黑硅的根本原理;体系1;体系2;体系3;实验结果;建议;内容;1.概述;刻蚀种类

干法：气态等离子体中，发生物理或化学反响

亚微米尺寸

湿法：液态化学试剂中，发生化学反响

尺寸大于3微米;按图形分：

有图形刻蚀：

掩模层定义刻蚀区域〔栅，金属互连线，通孔，接触孔，沟槽等〕

无图形刻蚀：

无掩模〔反刻或剥离〕;根本概念;刻蚀参数;刻蚀速率;刻蚀剖面;刻蚀偏差;选择比;刻蚀均匀性;残留物;聚合物;等离子体诱导损伤;2.干法刻蚀;干法刻蚀比较;干法刻蚀优点

?Eliminateshandlingofdangerousacidsandsolvents不接触酸和溶剂

?Usessmallamountsofchemicals化学物用量少

?Isotropicoranisotropicetchprofiles各向同性或异性截面

?DirectionaletchingwithoutusingthecrystalorientationofSi〔不考虑硅的晶向〕

?Faithfullytransferlithographicallydefinedphotoresistpatternsintounderlyinglayers保真度高

?Highresolutionandcleanliness高分辨率高，清洁

?Lessundercutting钻蚀少

?Betterprocesscontrol更好的工艺控制

?Easeofautomation(e.g.,cassetteloading)易于自动化;干法刻蚀缺点

–Somegasesarequitetoxicandcorrosive某些气体有毒和腐蚀性

–Re-depositionofnon-volatilecompounds非挥发物质再沉积

–Needforspecialized(expensive)equipment需要较贵的特殊设备;等离子体的产生;直流气体放电;AC电压克服了DC系统的电荷在介质上的积累现象。;射频放电等离子体;射频等离子体和电势;等离子体的主要宏观和微观参数;;高密度等离子体;电感耦合等离子体〔ICP〕

和磁控等离子体;;等离子体刻蚀机理;射频溅射电压比:VC/VA=(AA/AC)n

射频溅射可用于绝缘材料;物理溅射刻蚀

高方向性，低选择性。

离子被电场加速轰击靶面

是溅射沉积的逆过程

用于离子铣和薄膜沉积前的预清洗;化学刻蚀

非方向性，各向同性，很高选择性；non-directional(isotropic),veryhighselectivity

等离子体产生高反响自由基物资；plasmacreateshighlyreactivespeciescalled“freeradicals”

自由基无电荷，故非方向性；radicalsarenotcharged,sothereisnodirectionality

usefulforblanketfilmremoval(“ashing”ofphotoresistwithoxygen);物理和化学刻蚀(反响离子刻蚀ReactiveIonEtch)

组合了方向性和选择性

可用于光刻胶掩膜制作亚微米结构

接触，过孔，多晶硅，金属等;IonAssistedEtchingAndSidewallPassivation离子辅助刻蚀和侧壁钝化

ImprovesdirectionalityoftheReactiveIonEtch,verticalsidewalls改进方向性，形成垂直侧壁

离子方向性好，很少碰撞侧壁。

聚合物沉积。在底部的聚合物被溅射掉，但侧壁的聚合物保存。

侧壁聚合物保护侧壁免于化学腐蚀。;离子铣;弱选择性！;离子铣产生的问题

;?氟等离子体;高能电子的碰撞分解CF4分子，产生自由F原子和分子自由基CF3,CF2,andC.(中性自由基比例~5–10%)

离子轰击外表可打破Si-Si键;CF4中增加O2;?Etchratemaximizesaround12%

O2

?EtchratedecreasesathigherO2

concentrations

-DilutionofFcon