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一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-20 发布于四川
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一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：外延层；基区，位于所述外延层的两侧；漂移层，位于所述外延层和所述基区的下表面；衬底层，位于所述漂移层下表面；漏极，位于所述衬底层下表面；第一源区，位于所述基区的预设区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面；栅介质层，位于所述外延层的上表面，且与所述基区连接；多晶硅层，位于所述栅介质层内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。本发明的这种MOSFE

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110190128A

    (43)申请公布日

    2019.08.30

    (21)申请号20191

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