2.3.1-单向凝固技术.pptVIP

单向凝固技术定向生长晶体工艺用于制备单晶、柱状晶和自生复合材料重要工艺参数：凝固过程中固－液界面前沿液相中的温度梯度GL固—液界面向前推进速度，即晶体生长速率R。控制晶体长大形态的重要判据--GL/R在提高GL的条件下，增加R，才能获得所要求的晶体形态，细化组织，改善质量，并且提高单相凝固铸件生产率。单相凝固技术和装置关键技术之一提高固—液界面前沿的温度梯度GL。目前，GL已经从10~15℃/cm增加到100~300℃/cm，工业生产中已达到30~80℃/cm。1.单向凝固的工艺参数必要条件：GL0必须在固—液界面前沿建立必要的温度梯度温度梯度大小直接影响晶体生长速率和晶体质量图2.35坩埚下降单向凝固法生长装置和温度分布

a）装置示意图b）温度分布图

将凝固速率视为热量在一维空间的传热问题热传导连续方程设坩埚在x方向是等截面，凝固速率生长单位质量晶体所放出的结晶潜热为L，熔点附近熔体密度为ρm；λS、λL分别为晶体和熔体的导热系数；GS、GL分别为固相和液相的温度梯度。设λS、λL为常数，则在凝固速率一定时，GL和GS成正比。通过增大GS来增强固相的散热强度，这是实际应用中获得大的GL的重要途径。同时，也会使凝固速率R增大。因此，常用提高固—液界面前沿熔体的温