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摘要
基于硅衬底上氮化镓材料具有宽禁带、高电子迁移率、高击穿场强、耐高温、低
成本等优异特性，在光电器件、5G/6G通信、毫米波与太赫兹等领域具有非常好的应
用前景。然而Si衬底GaN外延材料的射频损耗高，给Si衬底GaN器件在射频领域的
应用带来巨大挑战。因此研究低射频损耗Si衬底GaN材料生长技术，对推动GaN器件
在光电/射频器件应用有重要的意义。本文围绕基于Si衬底GaNHEMT器件外延缓冲层
生长的关键技术进行了仿真与实验研究，主要内容如下：
（1）利
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