表面界面物理第4章§4.4.ppt

*与范德华力相比，静电力是长程的作用力在很小的间隙情况下，两平板表面间的静电力小于范德华力微机电系统中，静电力在远离10μm时仍具有显著影响在两个电极之间存在电势差就会产生静电力由于难以控制的表面陷落电荷存在，微机电系统中出现的一些问题通常都与静电力有关*在加工和球磨过程中会产生瞬时的电荷。如由于相对运动表面摩擦产生的电荷以及静电驱动马达绝缘体上的电荷等都是静电荷这些存在的静电荷是一种不平衡现象非平衡电荷会有时随着时间的推移或由于导体及半导体的相互接触而及时释放，故不会对构件产生永久的作用*4.4.6各种表面力的比较范德华力-VanderWaalsforce氢键力-hydrogenbondingforce毛细力-capillaryforce静电力-electrostaticforce溶解力-solvationforce疏水力-hydrophobicforce流体动力学力-hydrodynamicforce短程表面力-“contact”force*我们只是讨论了四种常见的表面力。图4.4.4是各种表面力与表面距离的关系。*从图4.4.4可以看出，在各个作用力中，毛细黏附力随作用距离的变化最为缓慢，但其数值比其他表面力要大，特别在微米和纳米尺度都表现得很明显毛细黏附力是影响微/纳器件性能和使粉体（特别是纳米粉体）团聚的主要原因*微颗粒在不同湿度情况，受力不同，要针对相应情况进行分析，找出暴露在大气中的材料表面能够吸附水膜的不同厚度（或层数），确定材料表面的粘附力在微摩擦条件下，当两固体表面的距离小于10nm时，由于水分子的毛细作用力引起的粘附力是材料表面粘附力的主要组成部分，这是导致微构件和微机械元件失效的主要方式*在相对湿度RH在40%~80%之间的情况，粘附力变化最为显著；当相对湿度RH小于20%时，范德华力大于水的毛细作用力且占主导地位；当相对湿度RH大于20%后，水分子的毛细作用力不断增加，同时范德华力因水膜的存在而降低，水的毛细作用力占主导地位毛细力、范德华力在Si(100)表面产生的粘附力随相对湿度升高而增加，特别是相对湿度在40%~80%之间时变化最为显著*控制毛细黏附最有效的方法是在微/纳器件表面提供一个非亲水表面以避免“液体桥”的出现，消除毛细引力的作用主要方法是通过干法刻蚀、使用非水清洗剂和采用超临界二氧化碳干燥等在干燥方法中，超临界干燥是一个减小毛细管力的非常普通的方法微/纳米器件在液态二氧化碳中干燥，通过调节压力和温度使之达到超临界点*在干燥过程中不形成弯月面，表面也不会被拉到一起。也可以对各部分进行化学处理，以使器件表面即使在接触时也不发生粘连通过表面处理，能够得到一种表面能较低疏水性的表面，这样，可以避免由于弯月面形成所带来的表面张力的影响*表面力在硅直接键合(SBD)工艺中有重要作用直接键合是指在不需要任何粘结剂和外加电场情况下，将两个表面经亲水处理的硅片面对面贴合，通过高温处理可以直接键合在一起，形成一个具有一定强度的键合片该工艺对两键合片的晶向、电阻率、导电类型、厚度、掺杂浓度等可自由选择，与微电子工艺兼容，所以自1985年J.B.Lasky首次报道以来，得到了快速发展和广泛应用*硅片表面化学吸附的-OH团是室温下两接触硅片互相吸引的主要来源，硅醇键（Si-OH）在热处理时聚合脱水转变为硅氧键（Si-O-Si）是硅片键合的主要机理。*要使硅片充分键合，硅片键合前要经过亲水处理（“表面活化”），使硅片表面产生一个易于吸附-OH基团的结构。亲水处理后的洁净硅片表面形成一层薄的氧化膜，且会被OH原子团终结，同时表面会吸附一些水分子如图所示当两个具有亲水性表面的硅片接触以后，OH根中的氢会作为桥将不同表面的OH原子团连接在一起，氢键的存在保证了最初的键合从室温到110°C，Si-O-Si键逐渐被界面的水分解*Si-O-Si+HOH→Si-OH+HO-Si，这样界面区的-OH基团大量增加，在键合片之间形成更多的氢键，键合界面水分子重排，形成更加稳定的氢键结构。同时界面结合得更紧密，有利于下一步高温键合硅-玻璃接触键合如图所示的硅-钠硅玻璃系统，问①接触时将发生什么情况②高温下③高温强电场下（硅接负）④在高温和强电场下（硅接正）硅与玻璃间会发生什么现象？这是界面间的界面力和界面扩散的问题表面力使硅与玻璃可能有粘接性高温下硅与玻璃会发生扩散（室温下不明显）高场使得Na+发生漂移如图所示,由于硅片接电源正极,玻璃接负极,就会在玻璃靠近硅-玻璃界面一侧形成Na+的耗尽层,并在硅片靠近玻璃的一侧感应出等量的负电荷玻璃中钠离子比较容易活动，在电场下可能发生迁移