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- 2024-03-23 发布于四川
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本发明介绍一种一步原位可控制备高质量多层石墨烯的方法,包括如下步骤:在金属衬底的表面制备首层石墨烯膜;使首层石墨烯膜破损,形成分布均匀的裂纹或孔洞,金属衬底在裂纹或孔洞处裸露;在裸露金属衬底的催化裂解作用下,碳源气体在裸露金属衬底表面形成活性碳原子,并在裂纹或孔洞处重排叠加为多层石墨烯,且从裂纹或孔洞处向首层石墨烯膜外延生长,最终与首层石墨烯膜共同在金属衬底表面形成完整的多层石墨烯膜。此方法在单层石墨烯表面引入了新的裸漏的铜基底和可供碳原子外延生长的裂纹或孔洞,突破了铜箔的自限制生长机理,实现了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117737843A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311764237.2
(22)申请日2023.12.20
(71)申请人常州第六元素半导体有限公司
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