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半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片.pdfVIP

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  • 2024-03-23 发布于四川
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半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片.pdf

    本申请提供了一种半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片，该半导体器件包括：衬底层，第一场效应晶体管，分隔层以及第二场效应晶体管；第一场效应晶体管包括第一沟道，第二场效应晶体管包括第二沟道，第一沟道的成分与第二沟道的成分不同；第二场效应晶体管、分隔层以及第一场效应晶体管沿衬底层的高度方向依次堆叠，第一场效应晶体管堆叠在衬底层的表面；分隔层的成分含量沿垂直于衬底层的方向渐变，分隔层的成分与第一沟道的成分以及第二沟道的成分有关联关系，分隔层的成分为半导体材料。通过上述器件，本申请能够降低N型FET与

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117747618A

    (43)申请公布日2024.03.22

    (21)申请号202211113859.4

    (22)申请日2022.09.14

    (71)申请人华为技术有限公司

    地址5181

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